高性能太赫兹半导体激光器：从技术到应用｜上海市科学技术奖

太赫兹半导体激光器的有源区是器件的核心组成部分，由上千层半导体薄层组成，其能带结构的设计和模拟非常复杂。有源区结构设计的好坏，直接关系到激光器能否实现激射以及工作温度和输出功率等性能，因此激光器的结构设计和优化是关键。

研究团队抓住激光器工作时导带电子起主要作用的特点，充分发挥团队在太赫兹物理方面的优势，专注于研究激光器内部电子的输运和散射机制，独立发展了基于蒙特-卡洛方法的太赫兹半导体激光器模拟方法，提出了高工作温度激光器有源区结构。通过单声子阱的创新设计，延长了上能级的电子寿命，提高了有源区的注入效率和抽取效率；同时优化设计共振隧穿参数，抑制电子反注入，进一步降低高温下激光器的开启电流，使得该结构的激光器最高工作温度进入热电致冷温区，极大方便了使用环境。高工作温度性能为实现更大功率的太赫兹半导体激光器奠定了重要基础。

除了激光器有源区结构的精确设计和优化之外，有源区材料的生长也至关重要。材料生长质量的好坏，直接决定了器件工作性能的优劣。为了突破高性能太赫兹半导体激光器的材料生长技术，研究团队在原子级精度的分子束外延生长系统上，充分发挥人才的专业优势，开展了材料优化生长研究，重点优化了生长材料所需元素源的参数（束流、生长速度、掺杂浓度等）和生长条件（真空度、生长温度等）。基于束流自动修正技术，在多手段在线监测技术的辅助下，获得了高质量材料生长的各项条件。

同时，针对生长系统稳定性要求，研究团队从生长流程软件的控制步骤到每一步生长过程易出现的问题，逐一排查、优化。由于上千层半导体薄层的原子级精度生长耗时费力，加上系统预处理过程，单次生长的时间经常超过12小时，为了能获得优异的材料，研究团队加班加点，最终突破了大功率太赫兹半导体激光器的材料生长与制备。研究团队针对太赫兹半导体激光器光束发散难题，采用集成的超半球耦合技术，大幅降低了激光的光束发散角，再加上器件材料设计与制备方面的突破，激光器有效输出功率提高了两个数量级。

此外，在频率匹配的太赫兹半导体探测器设计方面，团队提出了多周期砷化镓量子阱双层结构与发光二极管（LED）体材料集成的新方法，采用精确控制铝元素的生长状态和束流，突破了超低铝组分太赫兹半导体量子阱探测器的材料制备，在国际上率先研制了太赫兹频段到近红外频段的频率上转换探测器件，器件性能达到国际先进水平。

在太赫兹频段，紧凑型激光源是一种不可或缺的研究工具。针对太赫兹探测与成像等领域的应用需求，研究团队利用中心对称原理，发明了基于Z形热沉片的激光器耦合结构，实现了双反射镜集成装配结构，将激光器两个端面的光束高效耦合输出，提高了模块化太赫兹光源的有效输出功率。在小型电制冷技术的助力下，大幅降低了激光模块的体积和重量，提升了太赫兹半导体激光源的便携性和应用优势。

此外，为了实现性能优异的太赫兹频率上转换成像芯片，研究团队重点突破了量子阱材料与体材料集成均匀性难题，大幅降低了太赫兹探测产生光电流驱动LED发光成像时的电流聚集效应，实现了单帧成像时长小于1微秒（相当于百万帧每秒）的太赫兹阵列成像。

针对危险品的检测与识别难题，研究团队解决了太赫兹光匀束问题，研制出太赫兹实时成像仪，有效促进了对毒品和爆炸物等多种危险品的分析与识别。经过多年的推广应用，团队研发的太赫兹半导体激光器芯片、模块化光源、频率匹配的快速探测模块以及成像系统，在16家单位获得应用。研制的模块化太赫兹器件成功应用于太赫兹混频探测本振源、自由电子激光大科学装置的太赫兹辐射检测等。大幅提升了我国在太赫兹技术领域的国内外地位，为我国抢占太赫兹频段的频谱资源奠定了重要基础。